IGBT管，全称为 绝缘栅双极型晶体管（Insulated Gate Bipolar Transistor），是一种 复合型半导体器件，由 双极型晶体管（BJT）和 金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）组合而成。它具有以下特点：
高输入阻抗：
类似于MOSFET，IGBT具有高输入阻抗，这意味着较小的驱动电流即可控制较大的负载电流。
低导通压降：
与双极型晶体管相比，IGBT具有较低的导通压降，这有助于减少能量损失，提高系统效率。
高耐压性：
IGBT能够承受较高的电压，适用于高压应用场合。
大电流处理能力：
IGBT具有较大的电流处理能力，适用于大电流应用，如电机驱动、开关电源等。
自关断功能：
IGBT具有自关断功能，可以在没有外部控制信号的情况下自动切断电流，这有助于提高系统的安全性和可靠性。
IGBT管广泛应用于以下领域：
交流电机：用于电机控制，提高能效和性能。
变频器：作为变频器中的核心部件，用于实现高效的电能转换和控制。
开关电源：用于高效地转换和调节电压和电流。
照明电路：用于高效地驱动高功率照明设备。
电力电子领域：在电力电子装置中扮演关键角色，如DC-AC转换、DC-DC转换等。
总之，IGBT管是一种高性能的功率半导体器件，结合了MOSFET和BJT的优点，广泛应用于各种需要高电压和大电流的应用场合。