阈值电压，也称为门限电压，是 半导体器件中的一个关键参数，它定义了在源极和漏极之间形成导电沟道所需的最小栅极偏压。当栅极控制电压超过阈值电压时，漏区和源区之间会形成一个导电沟道，从而使电流得以通过。
阈值电压的大小对器件的性能至关重要，它影响着器件的灵敏度、响应速度、可靠性和寿命。具体来说，阈值电压决定了器件从截止状态到导通状态的转变点，是器件正常工作的一个临界点。
阈值电压的数值受到多种因素的影响，包括：
Backgate的掺杂：
背栅极的掺杂浓度会影响阈值电压的大小。
电介质的厚度：
电介质层的厚度也会对阈值电压产生影响。
栅极材质：
不同材质的栅极其阈值电压也会有所不同。
电介质中的过剩电荷：
电介质中过剩电荷的数量也会影响阈值电压。
在实际应用中，不同的器件（如MOSFET、场效应晶体管等）会有不同的阈值电压参数。例如，在描述场发射的特性时，电流达到10mA时的电压被称为阈值电压。
总结来说，阈值电压是半导体器件中的一个重要参数，它决定了器件从截止状态到导通状态的转变点，对器件的性能有着重要影响。