磁阻效应是指某些金属或半导体的电阻值随外加磁场的变化而变化的物理现象。当材料置于磁场中时，电子的自旋方向受到影响，导致电子在材料内部偏离平衡位置，进而影响电子的散射和与晶格的相互作用，使电阻率增大。
磁阻效应可以分为几种类型：
常磁阻：
对所有非磁性金属而言，由于在磁场中受到洛伦兹力的影响，传导电子在行进中会偏折，使得路径变成沿曲线前进，导致电子行进路径长度增加，碰撞机率增大，电阻增加。这种效应通常较小，电阻变化率小于5%。
正磁阻：
发生在大量非磁性金属和半导体中，由于电子在磁场中偏折，导致电阻率增加。
负磁阻：
发生在磁性金属中，例如铁磁体，由于电子的自旋排列方式改变，导致电阻率降低。
各向异性磁阻（AMR）：
在磁性金属中，由于电子在不同晶向上的运动受到不同大小的洛伦兹力，导致电阻率在不同方向上有所不同。
几何磁阻：
与电子在磁场中的路径几何形状有关，通常表现为电阻率随磁场方向的变化。
磁阻效应在许多应用中非常重要，例如在磁传感器、磁存储设备和磁场测量仪器中。利用磁阻效应，可以精确地检测磁场的变化，从而用于各种精密测量和控制应用。