结电容是指 在PN结或Metal-Oxide-Semiconductor（MOS）结构中存在的电容。它由PN结或MOS结的空间电荷区形成，可以用来储存电荷和调节电路的频率响应。在PN结中，由于P区和N区的载流子浓度不同，形成了空间电荷区，这个区域的电荷分布形成了结电容。在MOS结构中，由于金属、氧化物和半导体之间的电容，也形成了结电容。
结电容的特点包括结构简单、工作稳定、使用寿命长、体积小、重量轻。其电容值大小由箔之间的距离、绝缘材料的介电常数和面积等因素决定。结电容通常被用于各种电器电气设备中，如电子电路中的滤波电容、隔直电容、直流耦合电容等。
PN结电容可以分为两部分：势垒电容和扩散电容。势垒电容是由于PN结交界处存在势垒区，结两端电压变化引起积累在此区域的电荷数量的改变而显现的电容效应。扩散电容则是由于P区和N区的载流子扩散形成的内建电场区所产生的电容效应。
需要注意的是，结电容通常很小，当加在二极管PN结之间的交流电频率较低时，通过PN结的电流由PN结的特性决定——只允许单向电流通过。但是当加在PN结上的交流电频率较高时，交流电就可以通过PN结的电容形成通路，PN结就部分或完全失去单向导电的特性。