暗电流，又称为反向偏置漏电流，是指在无光照条件下，即使没有光子进入光敏器件（例如雪崩光电二极管，SPAD），也会流过该器件的小电流。暗电流主要由以下几种因素引起：
热生成：
由于温度升高导致的载流子热扩散，产生电子-空穴对，从而形成电流。
隧穿效应：
电子和空穴通过半导体材料中的势垒，形成隧道电流。
表面漏电：
由于晶体材料表面的缺陷或悬挂键，导致电子从表面逸出，形成泄漏电流。
生成-复合暗电流：
在反偏压条件下，载流子在P-N结区域产生和复合，形成电流。
暗电流对光敏器件的性能有重要影响，它会导致耗尽区产生电子-空穴对，并可能引发雪崩事件，这些事件通常被误认为是探测到的光子，从而导致误计数或“暗计数”。因此，控制和减少暗电流对于提高光敏器件的灵敏度和准确性至关重要。
在电路中，暗电流通常指的是未被设计用于传输电流的部分仍然存在的小电流，这可能会对电路的稳定性和性能产生负面影响。在生理学方面，暗电流还可以指在无光照条件下，如视网膜视杆细胞的外段膜上，由于Na离子通道的开放状态而形成的电流。
综上所述，暗电流是一个在不同领域中具有不同含义的术语，但在光敏器件和电路设计中，它主要指在无光照条件下流过的额外电流，这需要通过适当的电路设计和材料选择来最小化。