存储器编程的方法主要 取决于存储器的类型和结构。以下是一些常见的存储器编程方法：
基于浮栅的编程方法
提供一个具有浮栅的存储结构，将源极接地。
在漏极和衬底之间施加电压，形成电场，产生电子-空穴对，形成一次电子。
在预定时间内，空穴在电场作用下向下运动并撞击衬底，产生二次电子。
在栅极和衬底之间施加电压，使二次电子在垂直方向电场作用下形成三次电子，注入浮栅中，完成编程操作。
基于存储串的编程方法
存储器包括第一存储串，以及位于第一存储串两端的第一输入端和第二输入端。
第一存储串包括串联的多个第一存储单元。
进行第一编程操作的预充电，包括向第二输入端提供第一预设电压，并对处于已编程状态的第一存储单元的栅极层提供第二预设电压，使已编程单元导通，对存储串中的沟道进行预充电。
从靠近第二输入端的第一存储单元向远离第二输入端方向对多个待编程的第一存储单元进行编程。
多级编程方法
对多个存储单元进行第一级编程，使部分存储单元处于第一存储态，另一部分处于第二存储态。
对第二部分存储单元进行第二级编程。
响应于完成第二级编程，对第一部分存储单元执行第二级编程，使得第一部分的阈值电压小于第二部分的阈值电压。
基于SPI总线的编程方法
通过SPI总线与单片机相连，使用特定的指令集进行编程操作。
常见的指令包括写使能、写禁止、读状态寄存器、读数据、页编程和扇区擦除等。
基于硬件电路的编程方法
使用硬件电路对存储器进行编程，通常涉及对存储器进行擦除和写入操作。
擦除以扇区为单位，编程以页为单位，每页最多256字节。
基于验证的编程方法
以编程电压和编程码来编程目标存储器单元。
施加第一验证电压和第二验证电压，得到第一读取数据和第二读取数据。
根据编程码、第一读取数据和第二读取数据判断目标存储器单元是否通过真正编程验证及/或虚拟编程验证。
在选择编程方法时，需要考虑存储器的类型（如Flash存储器、EEPROM等）、结构（如串行存储器、并行存储器等）以及应用需求（如编程速度、数据量等）。不同的编程方法具有不同的优缺点，选择合适的方法可以提高编程效率和可靠性。