化学气相沉积法（CVD，Chemical Vapor Deposition）是一种 通过气相化学反应在基体表面上沉积固体薄膜的技术。它涉及将气态的反应物或蒸汽导入反应室，在基质表面发生化学反应，生成固态产物并沉积到基板上。CVD技术的反应机理复杂，通常取决于反应物和反应条件，可以包括以下几个步骤：
气相反应：
反应物在高温下分解或反应，生成气态物质。
输运到基板：
气态物质通过载气输运到基板表面。
表面反应：
气态物质在基板表面发生反应，形成固态薄膜。
沉积：
固态薄膜沉积在基板上，可能进一步经过后处理如退火等。
CVD技术广泛应用于多个领域，包括：
半导体工业：用于沉积绝缘材料、金属和金属合金材料，如硅氮化物膜（Si3N4）。
能源领域：在固态电池和锂离子电池中，CVD技术用于制备碳硅负极材料。
材料科学：用于合成高纯度金属、氧化物、碳化物等无机材料。
涂层技术：用于在金属表面形成保护涂层或硬质涂层，如TiC涂层。
CVD技术的特点包括：
低温沉积：可以在相对较低的温度下进行，有利于节能和保持材料特性。
薄膜成分易控：通过调整反应物和反应条件，可以精确控制薄膜的化学成分。
膜厚均匀性好：CVD技术能够实现较厚的均匀薄膜，且膜厚与沉积时间成正比。
重复性好：CVD过程重复性高，有利于大规模生产。
台阶覆盖性优良：CVD技术能够较好地覆盖复杂的几何结构。
CVD技术根据不同的应用需求，有多种变体，如高温热解前驱体法、金属含硼化合物退火法等，适用于不同的材料和薄膜制备。