光刻是一种 微影技术，用于制造集成电路和微电子器件。它通过使用光敏胶层和光源，将光线投射到硅片表面，通过光学、化学和物理的相互作用，将图形或图案转移到硅片上。光刻是集成电路制造中最核心的步骤之一，决定了芯片的尺寸、形状和电路连接。
光刻技术的工作原理类似于照相胶片成像，将设计好的电路图案通过光的照射转移到硅片上，最终形成半导体器件（如晶体管、导线、接触孔等）的微细结构。光刻工艺通常包括硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻胶、软烘、对准曝光、后烘、显影、硬烘、刻蚀、检测等步骤。
光刻技术的核心在于使用高分辨率的光刻机设备和光罩制作，以实现精确可控的图形转移。根据不同的需求和技术发展，光刻技术也在不断进步，例如浸没式光刻和多重曝光光刻等，以提高分辨率和成像能力，实现更小的特征尺寸。
光刻技术是现代半导体、微电子、信息产业的基础，直接决定了这些技术的发展水平。随着技术的不断进步，光刻技术也在不断革新，以适应更小制程节点的需求。