PN结具有以下特性：
单向导电性
正向偏置：当外加正向电压时（P区接正极，N区接负极），PN结导通，存在较大的正向电流。这是由于外加电压抵消了内建电场，降低了PN结的势垒高度差，使得多数载流子（电子和空穴）能够自由扩散，形成较大的正向电流。
反向偏置：当外加反向电压时（P区接负极，N区接正极），PN结截止，反向电流极微弱。这是由于内建电场增强，抬升了PN结的势垒高度差，空间电荷区变宽，阻止了多数载流子的扩散，加速了少数载流子的漂移，形成极微弱的反向电流。
反向击穿性
当反向电压增大到一定程度时，内建电场强度增大，载流子可能发生带隙之间的隧穿或雪崩效应，导致反向电流突然增大，这一现象称为击穿。击穿电压取决于PN结的掺杂浓度，掺杂浓度越高，空间电荷区电场越强，击穿电压越低。
伏安特性
PN结的伏安特性描述了其电压与电流之间的关系。在正向偏置时，随着电压的增加，电流迅速增加；而在反向偏置时，电流几乎保持不变，直到发生击穿。
电容特性
PN结具有电容特性，这与其空间电荷区的宽度和电荷分布有关。在反向偏置时，空间电荷区变宽，电容减小；而在正向偏置时，空间电荷区变窄，电容增加。PN结的等效电容等于势垒电容和扩散电容之和。
温度影响
PN结的导电性能受温度影响较大。温度变化会影响载流子的运动速度和本征激发的程度，因此在设计和运用时需要考虑温度的影响。
其他特性
整流作用：PN结只允许电流沿一个方向流动，具有整流作用，因此在电路中可以作为二极管使用。
发光特性：当PN结被注入适当电流时，可以发生光致辐射，产生可见光或红外光，广泛应用于光电子器件中，如LED和激光二极管。
光电效应：当光照射到PN结上时，可以产生光电效应，即将光能转化为电能，在光电转换器件中扮演重要角色，如太阳能电池。
可控性：通过调节PN结的正向或反向偏置电压，可以控制电流的流动情况，实现信号调制和放大功能。
这些特性使得PN结在电子器件和电路中有着广泛的应用，如二极管、晶体管、集成电路等。