光刻胶，又称光致抗蚀剂，是一种 用于微细图形加工的关键材料。它在光刻工艺中起到将掩模版图案转移到硅片表面的作用，是微电子和印刷工业中不可或缺的材料。
组成
光刻胶主要由以下成分组成：
感光材料：决定光刻胶的感光特性，是核心部分。
聚合物材料（树脂）：作为黏接剂，影响光刻胶的黏着性和胶膜厚度。
溶剂：使固态的抗蚀剂和增感剂能够均匀涂覆。
分类
光刻胶可以根据不同的标准进行分类：
按曝光波长分类：
光学光刻胶（300 - 450nm）
深紫外光刻胶（160 - 280nm）
极紫外光刻胶（EUV, 13.5nm）
按显影原理分类：
正性光刻胶：未受到光照时阻碍溶解，受到光照时起助溶作用。
负性光刻胶：光照前助溶，光照后阻溶。
工作原理
光刻胶在曝光后溶解度发生变化，通过显影过程将曝光区域或未曝光区域的光刻胶去除，从而在硅片表面留下与掩膜版图案相同的光刻胶图案。这一过程实现了从掩膜版到硅片的图案转移，为后续的刻蚀、离子注入等工艺确定了精确的图形基础。
应用
光刻胶广泛应用于集成电路和半导体器件的制造过程中，特别是在微细图形的加工中起到关键作用。随着技术的进步，光刻胶的波长不断缩小，分辨率不断提高，从最初的紫外光刻胶发展到深紫外光刻胶，直至极紫外光刻胶，以满足不断缩小的半导体器件特征尺寸的需求。
建议
在微电子制造过程中，选择合适的光刻胶对于实现高精度的图形转移至关重要。不同波长的光刻胶适用于不同的工艺需求，因此在实际应用中需要根据具体的工艺条件选择合适的光刻胶类型。